台积电N3E工艺良率进展超预期
《科创板日报》24日讯，台积据知名科技网站Tom‘s handware消息，艺良预期台积电N3E工艺良率超预期，率进N3E SRAM的展超良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的台积平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的艺良预期良率也为80%左右。据悉，率进N3E工艺为N3工艺的展超加强版，其性能和功耗表现更好，台积此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。艺良预期
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